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电子元器件详细资料 » IC[34512] » ZXMN3A04DN8TC
型号:ZXMN3A04DN8TC类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C20 毫欧 @ 12.6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs36.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1890pF @ 15V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市金鑫弈科技有限公司侯先生086-755-83349415/83229300
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
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ZXMN3A04DN8TC相关型号

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